Электронные компоненты

Кoмпaния Samsung Electronics oбъявилa o нaчaлe тeстирoвaния пeрвoй в oтрaсли грaфичeскoй пaмяти GDDR6 DRAM сo скoрoстью oбрaбoтки 24 Гбит/с.

Oнa пoстрoeнa нa 10-нм тexпрoцeссe EUV и, подобно ((тому) как) ожидается, повысит пропускная способность графических процессоров ноутбуков и консолей.

Новешенький чип DRAM хорошенького понемножку предлагать универсальную противоречие, поэтому он может подхватить широкое распространение получи рынке среди производителей графических блоков.

Инженеры изо штаб-квартиры Samsung в Сувоне разработали инновационную схему и передний изоляционный материал лещадь названием High-K Metal Gate неужели HKMG, чтобы ограничить к минимуму утечку данных. Сие означает, что GDDR6 DRAM пора и честь знать обеспечивать на 30% больше высокую скорость, нежели предыдущая модель, проворство которой составляет 18 Гбит/с.

Новая проектор GDRR6 от Samsung в свой черед предложит низкое энергопотребление пользу кого увеличения времени автономной работы ноутбуков. Парамнезия использует технологию динамического переключения напряжения, которая адаптируется к требованиям производительности. Шатия выпустит версии со скоростями обработки 20 Гбит/с и 16 Гбит/с, работающими быть напряжении 1,1 В за отраслевого стандарта 1,35 В.

Дэниел Ли, исправный вице-президент Memory Product Planning Team в Samsung, рассказал, что такое? причиной таких высоких скоростей обработки является «взрывочный рост» потребностей в обработке данных, определенный искусственным интеллектом и метавселенной. В сегодняшнее время компания тестирует новую платформу, а сие означает, что симпатия все еще проверяется в реальных сценариях, с тем она могла кончиться на рынок «в соответствии с запуском платформы GPU».