“Qualcomm” и “Samsung” представила мощный процессор

Oсoбeннoстью чипсeтa являeтся тo, чтo oнa построена на основе 10-нанометрового техпроцесса.
Известно, что чип использована новая технология быстрой зарядки Quick Charge 4.0, благодаря которой зарядить устройство можно будет в 2,5 раза быстрее.

Ожидается, что производитель раскроет все возможности в начале января. Новые гаджеты, созданные в базе данных Snapdragon 835, начнут приходить на рынок в начале 2017 года.
Но в настоящее время производитель точно не сообщает характеристики продукта.

Новый Samsung флагман получит огромный экран
Известно, что новинка будет на 40% менее энергозатратной, а также на 27% более производительной. Чим Snapdragon 835 создан 10-нанометрового техпроцесса. Компания Samsung Electronics и Qualcomm Technologies разработала новое поколение флагманских чипсетов Snapdragon 835, передает Engadget.
Ранее сообщалось, что новый Samsung флагман получит искусственный интеллект. По предварительной информации, устройство будет выпущен в 2017 году.

Комментарии и уведомления в настоящее время закрыты..

Комментарии закрыты.